首页> 外文OA文献 >Strain effect in epitaxial VO2 thin films grown on sapphire substrates using SnO2 buffer layers

【2h】

Strain effect in epitaxial VO2 thin films grown on sapphire substrates using SnO2 buffer layers

机译：使用snO2缓冲层在蓝宝石衬底上生长的外延VO2薄膜中的应变效应

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Heungsoo Kim; Nicholas S. Bingham; Nicholas A. Charipar; Alberto Piqué;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2017
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Strain effect in epitaxial VO2 thin films grown on sapphire substrates using SnO2 buffer layers [J] . Heungsoo Kim, Nicholas S. Bingham, Nicholas A. Charipar, AIP Advances . 2017,第10期

机译：使用SnO2缓冲层在蓝宝石衬底上生长的外延VO2薄膜的应变效应
2. Epitaxial growth of high-quality InN thin film on sapphire substrates by RF-MBE - effect of low-temperature-grown InN/GaN buffer layers [J] . Masataka Higashiwaki, Toshiaki Matsui 電子情報通信学会技術研究報告. レ-ザ·量子エレクトロニクス. Lasers and Quantum Electronics . 2002,第117期

机译：RF-MBE在蓝宝石衬底上外延生长高质量InN薄膜-低温生长的InN / GaN缓冲层的作用
3. Epitaxial growth of high-quality InN thin film on sapphire substrates by RF-MBE - effect of low-temperature-grown InN/GaN buffer layers [J] . Masataka Higashiwaki, Toshiaki Matsui 電子情報通信学会技術研究報告. 電子デバイス. Electron Devices . 2002,第114期

机译：RF-MBE在蓝宝石衬底上外延生长高质量InN薄膜-低温生长的InN / GaN缓冲层的作用
4. Chemical lift-off of GaN epitaxial filmscurrent grown on c-sapphire substrates with CrN buffer layers [C] . H. Goto, S. W. Lee, H. J. Lee, International Conference of Nitride Semiconductors . 2008

机译：GaN外延薄膜的化学升降膜发电机在C-Sapphire底物上生长，CRN缓冲层
5. Epitaxial strain effect on the physical properties of layered ruthenate and iridate thin films [D] . Miao, Ludi. 2014

机译：外延应变对层状钌酸和铱酸盐薄膜物理性能的影响
6. Optical properties of epitaxial BiFeO3 thin film grown on SrRuO3-buffered SrTiO3 substrate [O] . Ji-Ping Xu, Rong-Jun Zhang, Zhi-Hui Chen, 2014

机译：在SrRuO3缓冲的SrTiO3衬底上生长的外延BiFeO3薄膜的光学性质
7. Very thin (111) NiO epitaxial films grown on c-sapphire substrates by pulsed laser deposition technique [O] . Santosh Kumar Yadav, Subhabrata Dhar 2021

机译：通过脉冲激光沉积技术在C-Sapphire基板上生长非常薄的（111）NIO外延薄膜
8. High Quality Aluminum Nitride Epitaxial Layers Grown on Sapphire Substrates [R] . Saxler, A., Kung, P., Sun, C. J., 1994

机译：在蓝宝石衬底上生长的高质量氮化铝外延层

Strain effect in epitaxial VO2 thin films grown on sapphire substrates using SnO2 buffer layers

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅